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NTMFS4833N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
C iss
T J = 25 ° C
12
10
Q T
V GS
6000
5000
C iss
8
4000
3000
C rss
6
4
Q1
Q2
2000
1000
0
10
V DS = 0 V
5
V GS
0
V GS = 0 V
5
V DS
10
15
20
C oss
25
2
0
0
10
I D = 30 A
T J = 25 ° C
20 30 40 50 60 70 80
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
90
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
30
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
20
100
t r
t d(on)
15
10
5
10
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
650
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
600
550
500
450
400
I D = 35 A
1
0.1
0.01
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
10 ms
100 ms
dc
100
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50 75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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